SEARCH
       
基于商用CMOS工艺的RFID标签应该如何去设计
    发布时间: 2019-12-11 13:23    
基于商用CMOS工艺的RFID标签应该如何去设计


射频识别(RFID)市场出现强劲增长,2004年其销售额高达17亿美元,2008年预计将达到59亿美元。这种激增的需求受到来自下一代RFID系统的带动,下一代系统将会提供非视距的可读性、改进的安全性,并可以重新配置产品信息。这些应用包括了库存跟踪、处方用药跟踪和认证、汽车安全钥匙,以及安全设施的门禁控制等。在很多以前的出版物中可以找到有关RFID应用与发展良机的细节。这些功能将可能通过EPC-Global Class 1 Gen 2(即欧洲和国际上的ISO-18006标准)协议所定义的超高频(UHF)系统来实现。这些功能还将利用最新的CMOS工艺节点通过标签/阅读器的技术创新来实现,例如射频/模拟以及混合信号集成电路(IC)设计。许多新的IC要求取决于EPCGlobal Class 1 Gen 2协议,以及无源-反向散射UHF RFID标签电路中的几个关键射频模块的设计与仿真。可以采用仿真工具来研究在几个最差系统级工作条件下的关键IC的性能度量。

工作在125或134kHz低频(LF)或者13.56MHz高频(HF)范围内的电感回路无源RFID系统,其工作距离仅限于大约1m的范围。UHF RFID系统工作在860至960MHz以及2.4GHZ的工业科学医疗(ISM)频段。其具有更长的工作距离,对无源标签而言典型工作范围为3至10m。标签从阅读器的射频信号接收信息和工作能量。如果标签在阅读器的范围内,就会在标签的天线上感应出交变的射频电压。该电压经过整流后为标签提供直流(DC)电源电压。通过调制天线端口的阻抗来实现标签对阅读器的响应。这样一来,标签将信号反向散射给阅读器。